【実用化実績等】
実用化実績：無（電気・電子デバイス、磁気デバイス、光学デバイス、センサーなどに応用可能です）
サポート：研究開発から実用化まで、共同研究・技術指導等により支援します。

◎ウェット／ドライの各種法により多層高密度微細配線を形成
◎リジッド基板のみならずフレキシブル基板への配線形成も可能。

技術内容
●ダマシン法：反応性イオンエッチング（RIE）などで予め基板に設けた溝にスパッタ法やウェット法により導電性下地層を形成し、これにCuめっきを施し、研磨により余剰部分を除去。
●セミアディテブィブ法：予め下地層を成膜した基板にレジストで溝形状を形成し、溝内のみにCuめっきを形成した後、レジストと露出した下地層を除去し、最後に化学的気相成長法（CVD）などでCu導体間に絶縁材料を充填成膜。
●リフトオフ法：基板にレジストで溝形状を形成し、スパッタ法などで全面にCu層を成膜した後、アセトンなどの有機溶剤でレジストとその上のCu層を除去し、最後にレジスト等の有機材料を塗布して導体間の絶縁層を形成する。

秋田県産業技術総合研究センター
経営企画部
TEL◎018（866）5800
所在地◎秋田県秋田市新屋町字砂奴寄4-21